mil351 a écrit :à partir de 1n4007, qui ont la vertus d'être low drop et de ne faire chuter que de 0.7V mon circuit
Oui, bon, low-drop il faut le dire vite. La tension de chute des diodes (forward voltage, Vf) dépend de la technologie utilisée et du courant qu'on fait passer dedans. Plus on fait passer de courant, plus la tension est élevée - vaguement exponentielle inversée. En diode silicium la tension est de l'ordre de 0.7V, mais les grosses diodes de puissance peuvent monter jusqu'à 1.2V. Donc 0.7V sur du 1N4007 c'est assez standard.
Et pour info, cette série de diode (1N400X) a la caractéristique d'être en boîtier traversant de taille raisonnable, permettant de faire passer un peu de courant dedans. Le dernier chiffre permet juste de savoir quelle est la tension max qu'elle supporte en inverse (c'est le seul paramètre qui change). Là comme tu est en très basse tension, même une 1N4000 suffirait (25V en inverse de mémoire, donc pour 6V c'est suffisant).
Pour avoir des tensions de chute plus faibles, il faut changer de techno, soit germanium (0.2V de mémoire, mais c'est une vieille techno, aujourd'hui utilisée uniquement en RF), soit Schottky (0.3V, mais plus cher, tensions inverses plus faibles, pas robuste à l'échauffement).